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      位置:首頁 > IC型號導航 > 首字符F型號頁 > 首字符F的型號第428頁 > FMMTL618
      SOT23 NPN硅平面高增益
      中功率晶體管
      第1期 - 1997年11月
      特點
      導通電阻非常低的等效;
      R
      CE ( SAT )
      = 140mΩ為1.25A
      互補式 -
      PARTMARKING詳細信息 -
      FMMTL718
      L68
      FMMTL618
      C
      B
      E
      絕對最大額定值。
      參數
      集電極 - 基極電壓
      集電極 - 發射極電壓
      發射極 - 基極電壓
      連續集電極電流
      峰值脈沖電流
      基極電流
      在T功耗
      AMB
      =25°C
      工作和存儲溫度范圍
      符號
      V
      CBO
      V
      首席執行官
      V
      EBO
      I
      C
      I
      CM
      I
      B
      P
      合計
      T
      j
      :T
      英鎊
      價值
      60
      20
      5
      1.25
      4
      200
      500
      -55到+150
      單位
      V
      V
      V
      A
      A
      mA
      mW
      °C
      FMMTL618
      電氣特性(在T
      AMB
      = 25°C).
      參數
      集電極 - 基
      擊穿電壓
      集電極 - 發射極
      擊穿電壓
      發射極 - 基
      擊穿電壓
      符號
      V
      ( BR ) CBO
      V
      ( BR ) CEO
      V
      ( BR ) EBO
      分鐘。
      60
      20
      5
      典型值。
      105
      30
      8.5
      10
      10
      10
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      9
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      388
      12
      兆赫
      pF
      ns
      ns
      35
      160
      200
      280
      350
      1100
      1000
      馬克斯。
      單位
      V
      V
      V
      nA
      nA
      nA
      mV
      mV
      mV
      mV
      mV
      mV
      mV
      條件。
      I
      C
      =100μA
      I
      C
      =10mA*
      I
      E
      =100μA
      V
      CB
      =16V
      V
      EB
      =4V
      V
      CE
      =16V
      I
      C
      = 100mA時我
      B
      =10mA*
      I
      C
      = 500毫安,我
      B
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      I
      C
      = 1A ,我
      B
      =100mA*
      I
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      C
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      I
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      = 1.25A ,我
      B
      =100mA*
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      CE
      =2V*
      I
      C
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      CE
      =2V*
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      集電極截止電流I
      CBO
      發射極截止電流
      I
      EBO
      V
      CE ( SAT )
      集電極截止電流I
      CES
      集電極 - 發射極
      飽和電壓
      基射
      飽和電壓
      基射
      關閉電壓
      靜態前進
      電流傳輸比
      V
      BE ( SAT )
      V
      BE(上)
      h
      FE
      躍遷頻率
      集電極 - 基
      擊穿電壓
      開關時間
      f
      T
      C
      敖包
      t
      on
      t
      關閉
      *脈沖條件下進行測定。脈沖寬度= 300μS 。占空比
      2%
      FMMTL618
      典型特征
      +25°C
      IC/IB=10
      300m
      300m
      V
      CE ( SAT )
      - (V)
      V
      CE ( SAT )
      - (V)
      200m
      IC/IB=10
      IC/IB=20
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      200m
      -55°C
      +25°C
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      100m
      100m
      0
      1mA
      0
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      100mA
      1A
      I
      C
      - 集電極電流( A)
      10A
      1m
      10m
      100m
      1A
      10A
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      CE ( SAT )
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      I
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      VCE=2V
      1.0
      0.8
      IC/IB=10
      h
      FE
      - 典型增益
      V
      BE ( SAT )
      - (V)
      0.6
      0.4
      0.2
      0
      1mA
      -55°C
      +25°C
      +100°C
      300
      +100°C
      +25°C
      -55°C
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      I
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      10mA
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      1A
      I
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      - 集電極電流( A)
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      h
      FE
      V I
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      BE ( SAT )
      V I
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      VCE=2V
      10A
      0.8
      I
      C
      - 集電極電流( A)
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      DC
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      10ms
      1ms
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      0.6
      0.4
      0.2
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      -55°C
      +25°C
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      1
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      CE
      - 集電極發射極電壓(V )
      安全工作區
      SOT23 NPN硅平面高增益
      中功率晶體管
      第1期 - 1997年11月
      特點
      導通電阻非常低的等效;
      R
      CE ( SAT )
      = 140mΩ為1.25A
      互補式 -
      PARTMARKING詳細信息 -
      FMMTL718
      L68
      FMMTL618
      C
      B
      E
      絕對最大額定值。
      參數
      集電極 - 基極電壓
      集電極 - 發射極電壓
      發射極 - 基極電壓
      連續集電極電流
      峰值脈沖電流
      基極電流
      在T功耗
      AMB
      =25°C
      工作和存儲溫度范圍
      符號
      V
      CBO
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      首席執行官
      V
      EBO
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      CM
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      合計
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      英鎊
      價值
      60
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      A
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      °C
      FMMTL618
      電氣特性(在T
      AMB
      = 25°C).
      參數
      集電極 - 基
      擊穿電壓
      集電極 - 發射極
      擊穿電壓
      發射極 - 基
      擊穿電壓
      符號
      V
      ( BR ) CBO
      V
      ( BR ) CEO
      V
      ( BR ) EBO
      分鐘。
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      pF
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      ns
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      1000
      馬克斯。
      單位
      V
      V
      V
      nA
      nA
      nA
      mV
      mV
      mV
      mV
      mV
      mV
      mV
      條件。
      I
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      I
      C
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      I
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      =100μA
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      EB
      =4V
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      CE
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      = 100mA時我
      B
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      C
      = 500毫安,我
      B
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      I
      C
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      B
      =100mA*
      I
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      I
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      I
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      = 1.25A ,我
      B
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      I
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      CE
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      I
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      I
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      = 2A ,V
      CE
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      I
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      = 1A ,V
      CC
      =10V
      I
      B1
      =-I
      B2
      =10mA
      集電極截止電流I
      CBO
      發射極截止電流
      I
      EBO
      V
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      集電極截止電流I
      CES
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      基射
      飽和電壓
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      *脈沖條件下進行測定。脈沖寬度= 300μS 。占空比
      2%
      FMMTL618
      典型特征
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      - (V)
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      - (V)
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      V I
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      VCE=2V
      1.0
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      FE
      - 典型增益
      V
      BE ( SAT )
      - (V)
      0.6
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      1mA
      10mA
      100mA
      1A
      I
      C
      - 集電極電流( A)
      10A
      10mA
      100mA
      1A
      I
      C
      - 集電極電流( A)
      10A
      h
      FE
      V I
      C
      V
      BE ( SAT )
      V I
      C
      1.0
      VCE=2V
      10A
      0.8
      I
      C
      - 集電極電流( A)
      V
      BE(上)
      - (V)
      1A
      DC
      1s
      100ms
      10ms
      1ms
      100us
      0.6
      0.4
      0.2
      0
      1mA
      -55°C
      +25°C
      +100°C
      100m
      10mA
      100mA
      1A
      10A
      10m
      100m
      1
      10
      100
      IC - 集電極電流( A)
      V
      BE(上)
      V I
      C
      V
      CE
      - 集電極發射極電壓(V )
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